美國專利懲罰性賠償解析──以2016年聯邦最高法院Halo Electronics Inc. v. Pulse Electronics Inc.為中心

美國專利懲罰性賠償解析──以2016年聯邦最高法院Halo Electronics Inc. v. Pulse Electronics Inc.為中心
篇名
美國專利懲罰性賠償解析──以2016年聯邦最高法院Halo Electronics Inc. v. Pulse Electronics Inc.為中心
作者
呂柔慧
關鍵字
懲罰性賠償、三倍損害賠償、故意侵權、專利侵權、美國專利法
摘要
懲罰性賠償,意指於填補權利人損害外,由法院再行提高侵權人之損害賠償數額。於大陸法系國家,由於傳統認為有損害斯有賠償,對於英美法系懲罰性賠償之概念尚無法完全接受,因此,導致我國專利法懲罰性賠償於2011 年至2013 年間反覆立法,實務在操作上也尚未臻成熟階段。反觀美國專利法制,懲罰性賠償之發展已將近有兩個世紀之久,雖於法條上不同於我國明定以侵權人「故意」為適用前提,實務上仍發展出以侵權人「蓄意」(willful)為要件,美國聯邦最高法院並於2016 年做出Halo Electronics Inc. v. Pulse Electronics Inc. 案,推翻適用將近10 年的In re Seagate Technology, LLC 案之兩階段測試法,重新提出「蓄意」之認定標準。本文即以上開判決為中心,詳述美國專利懲罰性賠償之發展歷程,以及本案可能帶來之影響,最後,以美國法為借鏡,提出我國專利懲罰性賠償之設立有其正當性,但不應以填補損害為主要目的,實務對於相關酌定標準之運作仍有待未來持續發展;另外,我國廠商對於美國此項最新發展亦不能不注意,以避免遭法院認定為「蓄意」,而同負懲罰性賠償之連帶責任。
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